Sensofar干涉技术：从原理到场景应用

产品简介

Sensofar干涉技术：从原理到场景应用
干涉技术是 Sensofar S neox 实现高精度测量的核心支撑，包含白光干涉与相位移干涉两种模式，结合创新设计适配多样测量需求。

产品型号：S neox

更新时间：2025-10-23

厂商性质：代理商

访问量：83

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Sensofar干涉技术：从原理到场景应用

干涉技术是 Sensofar S neox 实现高精度测量的核心支撑，包含白光干涉与相位移干涉两种模式，结合创新设计适配多样测量需求。

白光干涉（CSI）基于白光短相干特性，光源经分光镜分为参考光与测量光，反射合并后产生干涉条纹。由于白光相干长度仅微米级，仅光程差接近零时形成高对比度条纹，系统通过垂直扫描捕捉信号，结合相位分析重建形貌。该模式纵向分辨率 0.1nm，横向分辨率 0.16μm，单次扫描深度 8mm，支持 86° 斜率表面测量，适配模具、增材制造零件等复杂结构。在量子点薄膜研究中，可定位 20μm 焊球下方 0.5μm 级微裂纹。

相位移干涉通过压电陶瓷驱动参考镜实现相位移动，采集多幅图样提取高度信息，纵向分辨率达亚纳米级，且不受放大倍数影响。搭配 2.5 倍镜头时，既能实现大视场观测，又保持超高纵向精度，适合大面积光滑表面测量，如光学镜片的微观形貌分析。

设备还集成红、绿、蓝三色 LED 光源，单次扫描可同步获取表面形貌、膜厚分布及材料折射率，减少多次测量误差。量子点增强型 CMOS 传感器在 180 帧 / 秒高速采集下，仍保持 0.12μm 横向分辨率，支持液体喷射成型等动态过程监测。

干涉技术参数与应用对应表

技术类型	分辨率参数	适配场景
白光干涉	纵向 0.1nm，横向 0.16μm	半导体晶圆、粗糙零件
相位移干涉	亚纳米级纵向精度	光学镜片、超光滑表面
多波长干涉	同步获取形貌与膜厚	薄膜材料检测